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高純CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器
產品簡介

高純CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器的全部工作過程均由程序控制,自動恒壓、恒流,通過串聯控制線,可實現多組并聯使用,設備配有安全裝置,電解超純水制氫,無腐蝕、無污染,配有壓力控制,缺水自動監(jiān)控,漏氣自動檢測。

產品型號:
更新時間:2025-01-14
廠商性質:生產廠家
訪問量:8674
詳細介紹
品牌PECULIAR/普拉勒氫氣純度99.9999-99.99999%
輸出壓力0-80psi(約0.5MPa)psi輸出流量1L-17L/mincc/min
價格區(qū)間面議產地類別進口
應用領域醫(yī)療衛(wèi)生,綜合

產品型號:HYDROGEN-2L/4L/6L

高純CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器產品特點:

1、儀器的全部工作過程均由程序控制,自動恒壓、恒流,通過串聯控制線,可實現多組并聯使用。

2、使用固態(tài)電解質(PEM)法產生氫氣,以超純凈水原料,以固體聚合物為電解質,貴金屬做電極有效的除濕裝置,降低了原始濕度,純度穩(wěn)定。

3、操作方便使用時只需打開電源開關即可產氫,使用后無需泄壓,直接關閉電源即可??蛇B續(xù)使用,也可間斷使用,產氫量穩(wěn)定不衰減。

4、安全可靠:配有安全裝置,電解超純水制氫,無腐蝕、無污染,配有壓力控制,缺水自動監(jiān)控,漏氣自動檢測。

5、配備純水系統,完成自來水進水完成大流量的氫氣制備。

 



高純CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器技術參數:

氫氣純度 99.9999-99.99999%
氫氣流量 1L-17L/min
輸出壓力 0-80psi(約0.5MPa)
壓力穩(wěn)定性 < 0.001MPa
供電電源 220V±10% 50HZ
消耗功率 8kw(HYDROGEN-17L)
純水需求 >2MΩ&1L/h
氫氣容積 <20L(HYDROGEN-17L)
環(huán)境溫度 1-40℃
相對濕度 <85%
海拔高度 <2000米
外形尺寸 80x90x100(WxDxH cm)(HYDROGEN-17L)
凈重 約200kg(HYDROGEN-17L)


 


 

 

 

 
















 

 

CVD(Chemical Vapor Deposition,化學氣相沉積)和MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,金屬有機化學氣相沉積)是半導體制造中的關鍵工藝,用于制備薄膜、涂層和納米材料等。氫氣作為這兩種技術中的還原劑和載氣,其純度和穩(wěn)定性對最終產品的質量和性能有著至關重要的影響。

在CVD過程中,氫氣通常作為還原性氣體參與反應,幫助形成所需的材料薄膜。例如,在制備二維材料如MOS2、WS2時,氫氣可以還原固態(tài)前驅體,生成目標材料的薄膜。同樣,在PECVD工藝中,氫氣也作為還原性氣體,用于制備石墨烯、單晶硅、碳化硅等材料。而在ECR-CVD中,氫氣則作為反應氣體,在單晶硅襯底上制備金剛石薄膜。

MOCVD技術則是一種特殊的CVD技術,主要用于生長復雜化合物薄膜,如半導體材料、光電材料等。在這一過程中,氫氣不僅作為載氣,將金屬有機前驅物輸送到高溫反應區(qū)域,還參與化學反應,幫助金屬有機前驅物分解并釋放金屬原子,這些金屬原子再與載氣中的其他氣體反應,最終在襯底表面形成所需薄膜。例如,在制備光電材料GaN、AlGaN時,氫氣就起到了這樣的作用。

為了確保CVD和MOCVD過程中氫氣的供應穩(wěn)定且純凈,專用的氫氣發(fā)生器應運而生。這些氫氣發(fā)生器能夠產生高達99.999%至99.99999%純度的氫氣,滿足半導體制造領域對高純度氫氣的需求。同時,它們還配備了高精度的流量和壓力調節(jié)系統,確保氫氣的流量和壓力符合工藝要求,從而優(yōu)化薄膜的性能。

此外,考慮到氫氣的易燃性,這些氫氣發(fā)生器還設計了多重安全措施,包括泄漏監(jiān)測、自動關閉系統以及防爆構造等,以確保實驗室和生產環(huán)境的安全。操作過程也相對簡便,配備了直觀的用戶界面和自動化控制系統,大大提升了實驗和生產的效率。

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